Emitter
¡@Infrared emitting
¡@¡@diode(GaAs)
¡@Infrared emitting
¡@¡@diodes (GaAlAs)
¡@Pin-point LED
¡@¡@(AlGaInP)
 Detector
¡@Photodiode
¡@PIN photodiode
¡@Daylight sensor
¡@¡@(Photo IC)
¡@Phototransistor
¡@Photo darlington
¡@Position sensitive
¡@¡@diode(PSD)
¡@Photodiode chip



¡@¡½ KODENSHI¡@Opto semiconductor element
¡½ Emitter - Infrared emitting diode (GaAs)
EL-1CL3
EL-1K3
EL-1KL3
EL-1KL5
EL23G
EL321
EL333
EL333F/F1
EL341
EL342
EL615
Type No.
Radiant in
tensity
Po(mW)
Forward
voltage
VF(V)
Peak
emission
wavelength
λP(nm)
Typ.
Half angle
Δθ(°)
Typ.
Operating
temp.
Topr.
(°C)
Typ.
IF(mA)
Typ.
IF(mA)
1.8
40
1.5
40
940
±53
-20¡ã+70
4.0
100
1.7
100
940
±36
-40¡ã+100
7.0
100
1.7
100
940
±15
-30¡ã+100
5.0
100
1.7
100
940
±5
-40¡ã+100
8mV
50
1.6
60
940
±30
-20¡ã+100
550μA
4
1.5
20
940
±30
-20¡ã+85
3.0mV
20
1.2
50
940
±20
-25∼+85
3.0mV
20
1.2
50
940
±20
-25∼+85
25mW/sr
50
1.5
20
940
±14
-25∼+80
14.0
50
1.5
20
940
±35
0∼+60
1.9
20
1.6
20
940
±20
-20∼+70
EL615S
1.9
20
1.6
20
940
±20
-20∼+70

Download Adobe Reder.
TEL¡G(02)8976-9686¡@FAX¡G(02)8976-9787¡@E-mail¡Ginfo@asiantech.com.tw
Copyrights (C) 2014 ASIANTECH OPTIC CORP. All Rights Reserved